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本发明公开了一种片上单晶半导体材料的制备方法，包括以下步骤：提供单晶半导体材料；其中，单晶半导体材料具有掺杂注入面；于掺杂注入面，对单晶半导体材料进行掺杂注入处理，以在单晶半导体材料的预设深度处形成掺杂层；对已形成的结构进行退火处理；提供芯...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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