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用于在二氧化硅上选择性沉积电介质的方法技术
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下载用于在二氧化硅上选择性沉积电介质的方法的技术资料
文档序号:24043353
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描述了将膜选择性沉积到相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。所述方法包括将基板暴露于阻挡分子以在所述第一表面上选择性沉积阻挡层。将所述阻挡层暴露于聚合物引发剂以形成网络状阻挡层。在所述第二表面上选择性形成层。所述阻挡层抑制在所述第一表面...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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