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本发明描述适用于湿式蚀刻包含氮化硅的微电子装置衬底的组合物及方法；所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分；使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速率、...
该专利属于恩特格里斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩特格里斯公司授权不得商用。

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