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一种三维半导体存储器件包括：在衬底上的电极结构，电极结构包括在垂直于衬底的顶表面的第一方向上堆叠的栅电极；垂直半导体图案，穿透电极结构并连接到衬底；以及数据存储图案，在电极结构和垂直半导体图案之间。数据存储图案包括顺序堆叠的第一绝缘图案、第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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