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本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法被如下提供。形成孔以穿过初始第一模层和初始第二模层以分别形成在垂直于下部结构的垂直方向上交替地堆叠在下部结构上的第一模层和第二模层。沿着孔的侧表面部分地蚀刻第一模层，以形成凹陷区域和凹陷的第一模层。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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