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本申请的各个实施例针对集成芯片，该集成芯片包括由无空隙介电结构分隔开的存储器单元。在一些实施例中，在通孔介电层上形成一对存储器单元结构，其中存储器单元结构由单元间区域分隔开。形成覆盖存储器单元结构和通孔介电层的单元间填充层，并且单元间填充层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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