温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开的各种实施例涉及一种集成电路，所述集成电路在第一半导体衬底内包括第一衬底穿孔。所述第一半导体衬底具有分别位于所述第一半导体衬底的相对侧上的前侧表面与背侧表面。所述第一半导体衬底包括第一掺杂沟道区，所述第一掺杂沟道区从所述前侧表面延伸到...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。