温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

根据本申请的实施例，提供了形成集成电路结构的方法，包括在晶体管的源极/漏极区域上方形成电连接至源极/漏极区域的第一源极/漏极接触插塞，形成与栅极堆叠件重叠的第一介电硬掩模，使第一源极/漏极接触插塞凹进以形成第一凹槽，在第一凹槽中形成第二介电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。