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一种形成集成电路结构的方法包括：在晶圆上形成栅极电介质；在栅极电介质上方形成功函层；在功函层上方沉积覆盖层；将覆盖层浸泡在含硅气体中以形成含硅层；在形成含硅层之后，形成阻挡层；以及在阻挡层上方形成金属填充区。本发明的实施例还涉及集成电路器件...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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