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本发明提供了一种检测闪存位线之间漏电结构的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成浅沟槽隔离结构与有源区，在所述有源区的上方形成隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层的上方形成浮栅，在所述浮栅上形成栅间介质层，以及控制栅；通过控制栅刻蚀，去除控制栅...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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