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本申请公开了一种本申请涉及一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置，属于半导体材料制备领域。该大尺寸碳化硅单晶的制备方法，其包括下述步骤：提供坩埚和籽晶柱；将原料装入坩埚侧壁的夹层形成的原料腔，将籽晶柱安装在坩埚内，组装后放入长晶炉...
该专利属于山东天岳先进材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进材料科技有限公司授权不得商用。

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