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本发明涉及具有叠置单元的半导体结构，包括：保护层，具有上表面与下表面；多个单元，在保护层的下表面沿保护层的厚度方向依次叠置，每一个单元包括基底，最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上、下单元的基底之间限定第二容纳空间，至...
该专利属于诺思(天津)微系统有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过诺思(天津)微系统有限责任公司授权不得商用。

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