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NAND闪存操作技术制造技术
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文档序号:23894787
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一种高密度存储器,例如立体NAND闪存,的写入方法,修改在写入操作期间所施加的波形,以减轻在操作期间对于未被选取用来进行写入的存储单元的无预期干扰。此方法通常在写入序列中的写入验证通过电压和写入通过电压之间的时间间隔内施加偏压安排。此偏压安...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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