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公开了用于测量过程效应参数的方法、计算机程序和量测设备，所述过程效应参数与用于在衬底上制造集成电路的制造过程相关。所述方法包括：针对一结构，在消除或减轻所述过程效应参数对每个都与不同的测量条件相关的多个测量值的影响的同时，根据所述多个测量值...
该专利属于ASML荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASML荷兰有限公司授权不得商用。

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