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本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，包括：提供具有沟槽的衬底，沟槽的底部和侧壁形成有介质层，介质层延伸至衬底表面；在沟槽内填充牺牲层，牺牲层延伸覆盖衬底表面的介质层；去除牺牲层；在沟槽内填充屏蔽栅材料层。本发明在屏蔽栅材料层填充前，...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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