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本公开涉及存储器技术领域，关于一种半导体结构与半导体存储器。该半导体结构包括：衬底、隔离结构、字线沟槽及字线，隔离结构形成于所述衬底中，并在所述衬底中界定出多个有源区；字线沟槽形成于所述衬底与所述隔离结构上；字线设于所述字线沟槽中，所述字线...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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