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本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体存储器。所述半导体存储器包括：衬底，所述衬底内具有多条字线以及位于相邻两条字线之间的导电接触区；沟槽，位于所述导电接触区内；接触窗口，位于所述导电接触区内，所述接触窗口位于所述沟槽上方且与...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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