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半导体结构及动态随机存储器制造技术
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文档序号:23715939
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本实用新型提供一种半导体结构及动态随机存储器,所述制备方法包括如下步骤:在衬底上形成沟槽;在沟槽中形成栅极绝缘层,所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽内侧壁,所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成;在栅极绝缘层内形成导电层,所述导电层...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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