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本公开描述了具有不对称源极和漏极结构的集成电路结构，以及制造具有不对称源极和漏极结构的集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括鳍和位于鳍上方的栅极堆叠体。第一外延源极或漏极结构位于鳍中栅极堆叠体的第一侧的第一沟槽中，第二外延源极或漏极结构...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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