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本发明公开了使用自底向上方法的具有减少填充的沟道结构的全环绕栅极集成电路结构。描述了具有减少填充的沟道结构的栅极全环绕集成电路结构，以及使用自底向上方法制造具有减少填充的沟道结构的全环绕栅极集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括在衬底上...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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