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芯片内护城河结构及其制造方法技术
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文档序号:23673743
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本发明提供一种芯片内护城河结构及其制造方法,该制造方法包括以下步骤:提供一基板,基板表面具有一扩散阻挡层;形成介电层于扩散阻挡层上,并形成金属互连结构及接合焊垫于介电层中,金属互连结构位于芯片主体区域;形成钝化保护层于介电层上;形成开孔于芯...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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