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本揭露描述的实施方式描述由个别形成的纳米线半导体带的堆叠形成栅极全环(“GAA”)元件的技术，即集成电路及其制造方法。个别形成的纳米线半导体带未各别栅极全环元件量身订做。形成沟渠于磊晶层的第一堆叠中，以定义出形成磊晶层的第二堆叠的空间。将沟...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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