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本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：绝缘层；导电部件，设于所述绝缘层内；芯片，配置于所述绝缘层的第一面上，并连接于所述导电部件；以及电极，经由电阻率比所述导电部件的电阻率高的阻挡层连接于所述导电部件，且至少一部分从所述绝缘层的...
该专利属于株式会社东芝;东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;东芝存储器株式会社授权不得商用。

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