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一种半导体结构及其制备方法技术
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文档序号:23626301
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本发明提供一种半导体结构及其制备方法,该方法至少包括:在半导体衬底上形成有多个间隔排布的有源区,有源区内形成多个埋入式栅极组件;在衬底上形成第一隔离层;蚀刻第一隔离层,形成位线接触孔;在线接触孔中填充导电材料形成具有第一宽度的位线接触节点,...
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