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一种半导体内连接结构的制造方法，包括形成一通孔电极(via)于一介电层内；沉积一含钌导电层于通孔电极的上表面及介电层的上表面上；以及图案化含钌导电层，以形成一导线于通孔电极的上表面上方，其中导线的厚度小于通孔电极的厚度。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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