温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底以及位于衬底上的栅极结构，所述衬底包括势阱，势阱中形成有第一通道、第二通道、第三通道和第四通道，所述第一通道和所述第二通道连通，第一通道和第二通道注入相同的离子，第三通道和第四通道注入相同的离子。本发明...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。