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本发明提供一种双垂直沟道晶体管、集成电路存储器及其制备方法，其垂直鳍片中具有沿第一方向延伸的第一沟槽，第一源/漏区形成在所述第一沟槽两侧顶部的鳍片中，第二源/漏区形成在所述第一沟槽底部的鳍片中，第一栅极结构填充在所述第一沟槽中并沿所述第一方...
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