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半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:23607121
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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,形成半导体结构的制造方法,包含在基板上形成电晶体;在基板上形成导电结构,使得导电结构的第一端与晶体管的栅极电性连接,而导电结构的第二端与基板电性连接;提供多个偏压至晶体管的栅极与晶体管的多个源极或漏极...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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