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提供一种非易失性存储器和一种竖直NAND闪存。所述非易失性存储器包括：存储器单元区域，包括靠近存储器单元区域的第一端的外部区域和通过外部区域与第一端分开的内部区域；第一位线和第二位线；外部存储器单元串，包括连接到延伸通过外部区域的外部柱的存...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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