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本发明公开了一种刻蚀方向可变的硅纳米孔结构及其制备方法。所述方法包括如下步骤：S1：将AAO薄膜转移到硅基板的上表面；S2：在AAO薄膜上沉积一层金属纳米颗粒；S3：去掉AAO薄膜，在硅基板表面得到分布均匀的金属颗粒阵列；S4.将步骤S3得...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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