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一种电容器结构，包含：半导体衬底；所述半导体衬底中的第一垂直扩散板；所述半导体衬底中并且围绕所述第一垂直扩散板的第一STI结构；所述半导体衬底中并且围绕所述第一STI结构的第二垂直扩散板；以及所述半导体衬底中的离子阱。所述离子阱直接设置在所...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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