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本申请公开了一种半导体器件的熔丝锁存器。所述熔丝锁存器包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管以锁存熔丝单元数据。在熔丝锁存器中，PMOS晶体管形成在单个P型有源区中，以及NMOS晶体管在P型有源区的一侧布置成两级结构。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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