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本公开提供了一种半导体结构、存储装置，属于半导体技术领域。该半导体结构包半导体层、第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和隔离结构，其中，半导体层形成有隔离沟槽和多个具有一长轴方向的有源区；第一栅极结构至少部分设于沿长轴方向的两个有源区之...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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