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一种集成电路包括存储器单元，该存储器单元包含反熔丝器件。该反熔丝器件包括状态晶体管，其具有控制栅级和被配置为浮置的第二栅极。选择性地断开控制栅级和第二栅极之间的介电层，以便在反熔丝器件上赋予击穿状态，其中第二栅极电耦合至控制栅级，用于存储第...
该专利属于意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。

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