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本发明公开了一种基于1T1R结构的忆阻器及其制备方法、集成结构，所述忆阻器包括：基于所述1T1R结构形成的MOSFET结构底座和生长在所述MOSFET结构底座上的RRAM结构，所述RRAM结构的底电极设置在所述MOSFET结构底座上、与所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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