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本发明公开一种基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料的制备方法，包括步骤S1：在透明衬底上镀制金属薄膜；步骤S2：在金属薄膜上旋涂光刻胶；步骤S3：通过光刻技术获得网栅形状的光刻胶；步骤S4：利用离子束刻蚀(IBE)的阴影效应，在大角度离子束入射的...
该专利属于中国科学院光电技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院光电技术研究所授权不得商用。

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