一种基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料的制备方法技术

本发明专利技术公开一种基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料的制备方法，包括步骤S1：在透明衬底上镀制金属薄膜；步骤S2：在金属薄膜上旋涂光刻胶；步骤S3：通过光刻技术获得网栅形状的光刻胶；步骤S4：利用离子束刻蚀(IBE)的阴影效应，在大角度离子束入射的模式下将光刻胶图形的线宽进行缩减；步骤S5：将光刻胶的图形传递至金属层；步骤S6：浸泡在丙酮中去除光刻胶，获取基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料。本发明专利技术提出的缩减线宽方法也可用于减小二维周期性结构材料的特征尺寸。本发明专利技术最终能有效地减小金属网栅的线宽，从而进一步提高材料的光透过率，为基于金属网栅、亚微米特征尺寸的透明电磁屏蔽材料提供一种简易、廉价的制备方法。

A preparation method of transparent electromagnetic shielding material based on metal mesh

【技术实现步骤摘要】
一种基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料的制备方法
本专利技术属于微纳加工及透明电磁屏蔽领域，涉及一种基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料的制备方法。
技术介绍
电磁干扰(electromagneticinterference，EMI)是信息时代重大污染源。光学透明电磁屏蔽技术在隔绝外界微波信号干扰的同时，还能保留可见光及红外光的透明窗口，这种透明光学窗与电磁屏蔽技术的结合广泛应用于航空航天、军事及生物医疗设备。金属网栅是透明电磁屏蔽材料的常见结构形式，由于网栅的周期远小于微波波长，大部分入射波能量被金属网栅反射，从而实现了微波波段的电磁屏蔽。金属网栅相对于氧化铟锡、石墨烯、银纳米线等材料，具备更为优越的光电性能。但是，为获得更高的光透过率以及屏蔽效能(shieldingeffectiveness，SE)，需要减小金属网栅的周期以及线宽，这对设备的加工能力特别是光刻技术分辨力提出严苛要求。同时，亚微米线宽的金属网栅材料的加工成本高昂，研发低成本制备手段是拓宽透明电磁屏蔽材料应用场景的迫切需求。为了弥补加工设备分辨力的不足、降低亚微米线宽金属网栅的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1：在透明衬底上镀制金属薄膜；/n步骤S2：在金属薄膜上旋涂光刻胶；/n步骤S3：使用光刻技术获取图形化的光刻胶；/n步骤S4：利用IBE的阴影效应，在大角度离子束入射的模式下将光刻胶图形的线宽进行缩减；/n步骤S5：调整至小角度离子束入射的模式，将光刻胶的图形传递至金属层；/n步骤S6：浸泡在丙酮溶液中，超声波清洗，去除光刻胶，获取基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在透明衬底上镀制金属薄膜；
步骤S2：在金属薄膜上旋涂光刻胶；
步骤S3：使用光刻技术获取图形化的光刻胶；
步骤S4：利用IBE的阴影效应，在大角度离子束入射的模式下将光刻胶图形的线宽进行缩减；
步骤S5：调整至小角度离子束入射的模式，将光刻胶的图形传递至金属层；
步骤S6：浸泡在丙酮溶液中，超声波清洗，去除光刻胶，获取基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料。


2.根据权利要求1所述的一种基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，步骤S1所述的透明衬底可以是硬质材料包括石英、玻璃，也可以是柔性衬底包括聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚乙烯醇薄膜，步骤S1所述的金属薄膜包括铜、铝、金和银导电率高的材料。


3.根据权利要求1所述的一种基于金属网栅的透明电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，步骤S2所述的光刻胶包括正胶和负胶。


4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗先刚，马晓亮，蒲明博，梁卓承，赵泽宇，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51