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本文提供了用于全环栅(GAA)晶体管器件的子鳍隔离方案。在一些情况下，子鳍隔离方案包括在每个源极/漏极区域和衬底之间形成一个或多个介电层。在一些这样的情况下，一个或多个介电层包括例如原生于栅极侧壁间隔体的材料，或其他介电材料。在其他情况下，...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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