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一种InAs/InSb复合型量子点及其生长方法，该生长方法包括对衬底进行脱氧处理，得到第一衬底；在第一衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长InAs/InSb复合型量子点层；在InAs/InSb复合型量子点层上生长盖层，即完成所述InAs/InS...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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