InAs/InSb复合型量子点及其生长方法技术

一种InAs/InSb复合型量子点及其生长方法，该生长方法包括对衬底进行脱氧处理，得到第一衬底；在第一衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长InAs/InSb复合型量子点层；在InAs/InSb复合型量子点层上生长盖层，即完成所述InAs/InSb复合型量子点的生长。本发明专利技术采用新型的外延方式生长InAs/InSb复合型量子点，有效规避了InAsSb量子点外延时带来的表面活性剂效应，获得了良好的量子点形貌，同时也实现了量子点的能级改善，便于实现获得发光质量良好的长波长量子点。

InAs / InSb composite quantum dots and their growth methods

【技术实现步骤摘要】
InAs/InSb复合型量子点及其生长方法
本专利技术涉及涉及半导体
，具体涉及一种InAs/InSb复合型量子点及其生长方法。
技术介绍
随着光纤通讯和高速信息化的发展，半导体激光器作为光纤通信的光源，对其性能的要求越来越高。基于GaAs衬底材料外延的InAs量子点激光器由于三维量子限制效应，展现出了低阈值电流密度、高微分增益、高温度稳定性、高调制速度以及低的频率啁啾效应等优势，成为了光通讯传输光源的优秀选择。然而由于能带结构的限制，InAs量子点激光器的室温发光波长极限大约在1310nm附近，难以到达目前最佳的光纤传输低损耗窗口1550nm。因此，让量子点激光器的发光波长进一步红移成为了量子点研究的重要方向。实现量子点发光波长红移的一种新型方式就是采用InAsSb量子点来取代InAs量子点，利用InAsSb更窄的带隙结构(0.106eV)来实现波长的红移，然而由于InAsSb相对于GaAs衬底更大的晶格失配度，当其作为量子点材料时，往往在淀积量较低时，量子点就达到了饱和，这一点也就限制了InAsSb作为量子点材料的发光波长，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种InAs/InSb复合型量子点的生长方法，包括：/n对衬底进行脱氧处理，得到第一衬底；/n在第一衬底上生长缓冲层；/n在缓冲层上生长InAs/InSb复合型量子点层；/n在InAs/InSb复合型量子点层上生长盖层，即完成所述InAs/InSb复合型量子点的生长。/n

【技术特征摘要】
1.一种InAs/InSb复合型量子点的生长方法，包括：
对衬底进行脱氧处理，得到第一衬底；
在第一衬底上生长缓冲层；
在缓冲层上生长InAs/InSb复合型量子点层；
在InAs/InSb复合型量子点层上生长盖层，即完成所述InAs/InSb复合型量子点的生长。


2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，
所述InAs/InSb复合型量子点层的生长方法包括：在缓冲层上生长预淀积层，再在预淀积层上生长InAs/InSb复合型量子点，即得到所述InAs/InSb复合型量子点层。


3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，
对所述衬底进行脱氧处理步骤中同时改变衬底温度观察衬底表面再构图样变化，记录表面再构由‘乘2’转变为‘乘4’的转变温度Tc；
所述InAs/InSb复合型量子点的生长温度低于转变温度Tc10至20℃。


4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，
所述InAs/InSb复合型量子点的结构为周期性的InAs/InSb层；
所述InSb/InAs层中InSb层的生长时间为0.5至4.5秒；
所述InSb/InAs层中InAs层的生长时间为0.5至4.5秒；
所述预淀积层采用的材料包括2MLInAs。


5.根据权利要求1所述的生长方...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁野，牛智川，苏向斌，杨成奥，张宇，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11