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提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；第一晶体管，所述第一晶体管包括设置在所述第一区域中的单个第一有源鳍、与所述单个第一有源鳍相交的第一栅电极以及设置在所述单个第一有源鳍的第一凹陷中的单个第一源极/...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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