专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
三星电子株式会社
>
半导体存储器装置制造方法及图纸
>技术资料下载
下载半导体存储器装置的技术资料
文档序号:23346986
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
半导体装置可以包括堆叠结构,该堆叠结构包括竖直堆叠在衬底上的多个层,以及竖直延伸以穿透堆叠结构的多个栅电极。多个层中的每一个可包括多个半导体图案,其沿第一方向平行延伸;位线,其电连接到半导体图案并沿与第一方向相交的第二方向延伸;第一气隙,其...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。