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本发明涉及具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器。本发明提供一种操作存储系统的方法，该存储系统包括存储器单元和存储器控制器。每个存储器单元是m位多层单元(MLC)，其中m是整数。方法包括对目标存储器单元执行软读取操作，并且基...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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