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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：形成沟槽填充结构于像素区的衬底中，且沟槽填充结构中的填充材料的侧壁和衬底之间还夹有高K介质层；覆盖缓冲介质层于像素区的衬底表面上；刻蚀缓冲介质层，以形成至少暴露出沟槽填充...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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