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提供了一种包括再分布线结构的扇出型半导体封装件。扇出型半导体封装件包括：再分布线结构，所述再分布线结构包括多个再分布线绝缘层和多个再分布线图案，每一个所述再分布线图案位于所述多个再分布线绝缘层中的一个再分布线绝缘层的上表面和下表面之一上；至...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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