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本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种制备高质量GaN单晶衬底的方法，本发明通过将金属镓与金属催化剂分离，使氮气优先在金属催化剂作用下解离，不但能提高熔体中氮的含量，提高源材料的利用率与GaN单晶的生长速率，同时，也有效抑制了熔体界面G...
该专利属于北京大学东莞光电研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学东莞光电研究院授权不得商用。

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