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本发明提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成两个以上间隔的栅极结构；形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖相邻的所述栅极结构之间的沟槽的侧壁和底部；对所述控制栅执行金属硅化工艺；对所述第一氧化硅层执行减薄...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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