下载一种HEMT低噪声放大器旁路结构的技术资料

文档序号:23193181

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本发明公开了一种HEMT低噪声放大器旁路结构,射频输入端通过所述隔直电容连接至所述第一晶体管的漏极,第一晶体管的源极连接至所述第二晶体管的漏极,第二晶体管的源极通过所述隔直电容C...
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