【技术实现步骤摘要】
一种HEMT低噪声放大器旁路结构
本专利技术涉及无线通信的射频低噪声放大器电路，具体涉及一种HEMT低噪声放大器旁路结构。
技术介绍
当今，无线通信技术正在不断发展和扩大，作用和需求也越来越大。低噪声放大器(Lownoiseamplifier,LNA)是无线射频接收机前端的关键部件，在蜂窝移动通信应用中，需要满足低噪声、高线性度、合适的增益和无条件稳定性等关键要求。而Wi-Fi技术作为蜂窝移动通信的补充，可以进行多接入和切入的功能，非常适合应用于室内无线局域网的场合。面向Wi-Fi应用的低噪声放大器，天线接收的信号强度变化范围非常大。当输入信号过大时容易导致低噪声放大器产生增益压缩和严重的谐波失真，恶化接收灵敏度，严重的话甚至损坏接收机后续的组件。对信号质量的特殊要求对该类低噪声放大器提出了新的要求，在信号强度较大时允许将放大器关断，使得信号从其他通道旁路，以保证射频接收机的正常工作。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种HEMT低噪声放大器旁路结构，用于实现高隔离高线性的旁路电路，完成射频信...
【技术保护点】
1.一种HEMT低噪声放大器旁路结构，包括隔直电容C
【技术特征摘要】
1.一种HEMT低噪声放大器旁路结构，包括隔直电容C1、隔直电容C2、隔直电容C3、隔直电容C4、电阻R1、第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和反相器，其中：
射频输入端RFin通过所述隔直电容C1连接至所述第一晶体管M1的漏极，第一晶体管M1的源极连接至所述第二晶体管M2的漏极，第二晶体管M2的源极通过所述隔直电容C2连接至射频输出端RFout；第一晶体管M1的栅极、第二晶体管M2的栅极均通过栅电阻RG连接偏置电压VBP；
所述反相器的输入端连接偏置电压VBP，反相器的输出端通过栅电阻RG连接所述第三晶体管M3的栅极，第三晶体管M3的源极通过所述隔直电容C3连接至地，第三晶体管M3的漏极连接所述隔直电容C4的一端以及第一晶体管M1的源极、第二晶体管M2的漏极，隔直电容C4的另一端通过所述电阻R1连接至地；
所述的第一晶体管M1的漏极和源极之间、第二晶体管M2的漏极和源极之间、第三晶体管M3的漏极和源极之间均设置有漏源电阻RDS。
2.如权利要求1所述的HEMT低噪声放大器旁路...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志浩，钟立平，李嘉进，章国豪，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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