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具有处理器和NAND闪存的键合半导体器件及其形成方法技术
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下载具有处理器和NAND闪存的键合半导体器件及其形成方法的技术资料
文档序号:23164828
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公开了半导体器件及其制造方法的实施例。在一个示例中,一种半导体器件包括第一半导体结构,第一半导体结构包括处理器、静态随机存取存储器(SRAM)单元的阵列以及包括多个第一键合触点的第一键合层。所述半导体器件还包括第二半导体结构,第二半导体结构...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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